Nexperia推出100 V MOSFET 为高要求汽车应用实现超低导通损耗
盖世汽车讯 9月18日,Nexperia宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。这些器件具有超低导通损耗,导通电阻(RDS(on))低至0.99 mΩ,并可实现460 A以上的安全电流。
图片来源: Nexperia
盖世汽车讯 9月18日,Nexperia宣布推出符合AEC-Q101标准的新款100 V MOSFET,采用紧凑型CCPAK1212(12 x 12毫米)铜夹封装。这些器件具有超低导通损耗,导通电阻(RDS(on))低至0.99 mΩ,并可实现460 A以上的安全电流。
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